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一文了解硅單晶電阻率測量的常規(guī)方法

四探針測試儀SZT-2(點圖片可查看詳情)

在半導體行業(yè)中,硅單晶的電阻率是衡量其性能的關鍵指標。硅單晶電阻率的常規(guī)測試方法,包括接觸法和無接觸法兩大類。

接觸法:直接且可靠的電阻率測量

接觸法是通過直接接觸樣品表面來測量電阻率的方法。主要包括以下幾種:

兩探針法:適用于低電阻率樣品。通過兩個接觸探針測量電流和電壓,計算電阻率。但這種方法對高電阻率樣品可能不夠準確。

四探針法:適用于不同形狀和尺寸的硅樣品。使用四個接觸探針,通過測量樣品上的電流和電壓來計算電阻率,是測量材料電阻率的常用方法。

擴展電阻法:適用于已知晶體晶向和導電類型的硅片。通過測量重復形成的點接觸的擴展電阻,再利用校準曲線確定電阻率。

范德堡法(van der Pauw):適用于任意形狀的二維樣品,能夠精確測量樣品的電阻率和霍爾系數。

Hall效應測量:通過施加外部磁場,測量垂直于電流方向和磁場方向的霍爾電勢,從而計算得到電阻率和載流子濃度。

無接觸法:非侵入式的電阻率測量

無接觸法是通過非接觸方式測量電阻率的方法。主要包括以下幾種:

渦流法:基于法拉第電磁感應原理,通過在導體表面產生交變磁場,利用渦流在導體內部產生的感應電磁場來推斷導體的電阻率。

C-V法:廣泛用于測量半導體參數,尤其是MOS CAP和MOSFET結構??梢源_定二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數。

選擇合適的測量方法

不同的測試方法有其特定的適用范圍和優(yōu)缺點。在實際操作中,應根據具體的測試需求和條件選擇合適的方法。例如,對于高電阻率樣品,可能需要采用四探針法或范德堡法;對于非接觸式測量,渦流法或C-V法可能是更好的選擇。

在進行硅單晶電阻率測試時,建議參考國家標準GB/T 1551-2021。

無論是接觸法還是無接觸法,每種方法都有其獨特的應用場景和優(yōu)勢。蘇州同創(chuàng)電子有限公司提供的四探針測試儀SZT-2C等產品,正是基于這些測量原理,為用戶提供精確、可靠的電阻率測量解決方案。


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